洲磊曜富科技成立於1992年，位於竹南廣源科技園區之竹南廠房於2001年啟用，為專業之發光二極體LED晶粒製造廠，主要致力於化合物晶粒之生產與研發 ，以專利製程技術，生產高品質半導體光電元件(High Brightness Light Emitting Diode，簡稱HB LED)
位在龜山工業區之龜山廠房於1998年啓用，為一專業之光電半導體上游磊晶廠，主要致力於化合物半導體磊晶片之生產與研發，以最先進之有機金屬氣相沈積及相關磊晶技術，生產適合光電元件應用之高品質砷化鎵LED磊晶片。超高亮度發光二極體是最為重要的化合物半導體發光元件之 一，它除了可大量節約能源、降低環境的溫室效應外，亦可取代我們目前使用之白熾及鹵素燈泡等照明器件 ，另外，高亮度LED亦應用在手機、PDA、數位相機、交通照明及其他相關高科技電子產品。因此 ，本公司現階段主要著重於氮化鎵、磷化鋁鎵銦及其他化合物半導體之發 光二極體晶粒及磊晶製造 ，製造各式不同波長及顏色之晶片，以配合市場對超高亮度LED的殷切需求。為確保產品品質穩定維持在業界最高標準，斥資引進精密量測儀器作業生產系統，作最嚴格的品質管制，以穩定地供應客戶均勻度及特性優良之高效能晶粒。我們深信與客戶及協力夥伴建立長久之合作關係，是促進製程技術進步及改善產品品質之最佳方式。因此，洲磊曜富科技重視並珍惜與所有客戶及研究機構之合作機會
【發展沿革】
　
　 2007 ◎10月11日獲經濟部核准，更名為『洲磊曜富科技股份有限公司』。
　 2007 ◎8月1日與洲磊科技股份有限公司合併，曜富科技為存續公司。
　 2006 ◎通過ISO/TS16949:2002汽車業品質系統驗證。

◎證期局核准公開發行。七月六日登錄為興櫃股票。

◎現金增資新台幣壹億貳仟萬元及盈餘轉增資新台幣陸仟萬元整，達資本額

　肆億捌仟萬元正。

◎本公司與國立中央大學簽訂『高分子球鋪排技術』授權移轉。

　 2004
◎導入ISO/TS16929品質系統，提昇產品流程控管。

◎取得『薄型化發光二極體晶粒結構』及『發光二極體金屬電極的製造方法

　及製造裝置』專利認證

◎減資及現金增資壹億玖仟零玖拾陸萬參仟伍佰元。

◎現金增資新台幣貳仟萬元，達資本額參億元正。

　 2003 ◎通過ISO 9001-2000品質系統驗證。
　 2001 ◎遷廠至竹南廣源科技園區並現金增資至新台幣貳億捌仟萬元正。
　 2000 ◎成立元件產品事業處。
　 1997
◎8月增資至新台幣陸仟萬元整。

◎李明順先生正式擔任董事長職。

　 1992 ◎公司正式成立，資本額新台幣伍佰萬元整。

主要商品 / 服務項目：
1.磷化鎵發光二極體晶粒 ~ GaP LED Chips
2.磷化鎵砷發光二極體晶粒 ~ GaAsP LED Chips
3.磷化鋁鎵銦發光二極體晶粒 ~ AlInGaP LED Chips
4.氮化鎵發光二極體晶粒 ~ InGaN LED Chips
5.紅外線發光二極體晶粒 ~ Infrared LED Chips
6.磊晶片

經營理念
在瞬息萬變之高科技產業環境中，洲磊曜富科技稟持誠信為原則，運用高科技之智慧，提昇企業之競爭力，創造成長利益，分享客戶、員工與投資大眾。我們堅信積極、負責、創新、品質、合作為企業經營之本，惟有不斷以精益求精之創新精神求進步，始能讓企業邁向永續經營之境界。