| 白色光发光二极管和中性色发光二极管 |
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| (时间:2008-02-14 共有
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| 申请专利号 |
CN99110302.5 |
| 专利申请日 |
1999.07.08 |
| 名称 |
白色光发光二极管和中性色发光二极管 |
| 公开(公告)号 |
CN1241821 |
| 公开(公告)日 |
2000.01.19 |
| 类别 |
电学 |
| 颁证日 |
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| 优先权 |
1998.7.9 JP 194156/1998;1998.11.6 JP 316169/1998;1998.11.12 JP 321605/1998 |
| 申请(专利权) |
住友电气工业株式会社 |
| 地址 |
日本大阪 |
| 发明(设计)人 |
松原秀树; 片山浩二; 武部敏彦 |
| 国际申请 |
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| 国际公布 |
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| 进入国家日期 |
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| 专利代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
| 代理人 |
王永刚 |
| 摘要 |
| 一种白色或中性色LED,具有掺杂I、Al、Cl、Br、Ga、In作为SA发射中心的n型ZnSe单晶衬底和包括ZnSe、ZnCdSe或ZnSeTe有源层和p-n结的外延膜结构。有源层发射蓝或蓝绿光。ZnSe衬底中的SA发射中心将蓝或蓝绿光转变为黄或橘黄SA光发射。来自外延膜结构的蓝或蓝绿光和来自ZnSe衬底的黄或橘黄光合成为白色光或红和蓝之间的中性色光。 |
| 主权项 |
| 1.一种白色LED,包括: n型ZnSe单晶衬底,掺杂有碘(I)、溴(Br)、氯(Cl)、镓(Ga)、铟(In)或铝(Al)作为n型掺杂剂和作为自激活(SA)发射中心,吸收蓝或蓝绿光并发出黄或橘黄光;以及外延生长在ZnSe衬底上的外延膜结构,外延膜结构具有由ZnSe 晶体或与ZnSe有关的化合物晶体制成的p-n结和有源层,用于发射蓝光或蓝绿光;其中通过混合来自外延膜结构的光和来自SA发射中心的光, ZnSe衬底产生并发射白光。 | | |
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